Applied sciences Infineon Infineon a développé la première technologie de plaquette de nitrure de gallium (GaN) de 300 mm au monde, marquant ainsi une étape importante dans l’industrie des semi-conducteurs de puissance. En exploitant son infrastructure de fabrication de silicium de 300 mm existante, Infineon a créé un processus de manufacturing évolutif à haut quantity qui améliore la rentabilité.
Les plaquettes GaN de 300 mm offrent 2,3 fois plus de puces par plaquette que les plaquettes de 200 mm, améliorant ainsi l’efficacité de la manufacturing et les performances des appareils. Cette innovation positionne Infineon comme un chief sur le marché du GaN en pleine croissance, qui devrait atteindre plusieurs milliards de {dollars} d’ici la fin de la décennie.
Jochen Hanebeck, PDG d’Infineon, présente l’une des premières plaquettes de puissance GaN de 300 mm, produite dans un environnement de fabrication à haut quantity évolutif. (Picture : Infineon)
Les semi-conducteurs de puissance à base de GaN gagnent du terrain dans divers secteurs, notamment l’industrie, l’car, l’électronique grand public, les alimentations électriques pour l’IA, les onduleurs solaires et les systèmes de contrôle des moteurs. La technologie GaN offre des avantages considérables, tels qu’une efficacité énergétique accrue, une taille et un poids réduits et des coûts globaux inférieurs pour les utilisateurs finaux. Les nouvelles plaquettes GaN de 300 mm garantissent une plus grande stabilité de l’approvisionnement et une plus grande évolutivité, ce qui les rend idéales pour répondre aux demandes croissantes du marché.
L’intégration par Infineon de plaquettes GaN de 300 mm dans ses lignes de manufacturing de silicium existantes à Villach, en Autriche, démontre l’experience de l’entreprise dans les semi-conducteurs à base de GaN et de silicium. Cette avancée ouvre également la voie à la parité des coûts entre le GaN et le silicium, notamment en termes de niveaux de R DS(on) comparables. Infineon a pour objectif de présenter les premières plaquettes GaN de 300 mm au salon salon de l’électronique en novembre 2024 à Munich.
Un ingénieur approach dans la salle blanche d’Infineon Applied sciences à Villach, en Autriche, tient une plaquette de nitrure de gallium de 300 mm. (Picture : Infineon)
Cette avancée renforce le management d’Infineon dans le domaine des systèmes d’alimentation électrique et son engagement en faveur de l’innovation, notamment dans les domaines de la décarbonation et de la numérisation. L’orientation stratégique de l’entreprise vers le GaN, aux côtés du silicium et du carbure de silicium, souligne sa place à l’avant-garde de la technologie des semi-conducteurs.
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